Description
Barrette Mémoire SAMSUNG – Technologie : DDR3L SDRAM – Capacité RAM: 4 Go – Vitesse de l’horloge de la mémoire: 1600 MHz (PC3L-12800) – 1600 MHz – Tension de la Mémoire: 1.35V – Temps de latence : CL11 (11-11-11)
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Barrette Mémoire SAMSUNG – Technologie : DDR3L SDRAM – Capacité RAM: 4 Go – Vitesse de l’horloge de la mémoire: 1600 MHz (PC3L-12800) – 1600 MHz – Tension de la Mémoire: 1.35V – Temps de latence : CL11 (11-11-11)
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Barrette Mémoire SAMSUNG – Technologie : DDR3L SDRAM – Capacité RAM: 4 Go – Vitesse de l’horloge de la mémoire: 1600 MHz (PC3L-12800) – 1600 MHz – Tension de la Mémoire: 1.35V – Temps de latence : CL11 (11-11-11)
| Marque | SAMSUNG |
|---|---|
| Nom du produit | SAMSUNG Mémoire DDR3 4Go 1600 CL11 1.35V |
| Catégorie | MÉMOIRE RAM |
| Type de mise à niveau | Générique |
|---|---|
| Capacité | 4 Go |
| Type | DRAM module mémoire |
|---|---|
| Technologie | DDR3L SDRAM |
| Vérification de l’Intégrité des Données | Non ECC |
| Temps de latence | CL11 (11-11-11) |
| Configuration de module | 512 x 64 |
| Hauteur du module (en pouces) | 1.18 |
| Organisation des puces | 512 x 8 |
| Tension | 1.35 / 1.5 V |
| Vitesse | 1600 MHz (PC3-12800) |
| Fonctions | Un rang, huit banques, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), basse tension, mémoire sans tampon |
| Format | DIMM 240 broches |
Divers:
| Normes de conformité | RoHS, Sans plomb, Sans halogène |
|---|


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